Vârful FT a unui tranzistor CMOS

[Puppet1]

Cum se poate găsi FT Vârful a unui tranzistor CMOS şi asociate curent cuvânt de spus în sursă comună folosind ceva de genul ADS sau Spectre?

 

[devrimaksin]

definiţia este ft
de frecvenţă în cazul în care câştigul actual
scade la 1.
Deci, va trebui să vă conectaţi exodul de la o tensiune constantă şi conectaţi tensiune poarta la o tensiune constantă, care va furniza condiţii adecvate părtinire la aparat (acesta ar trebui să funcţioneze în saturaţie şi rezonabile de scurgere curente.).Apoi, trebuie sa rulati
simulare ac şi de a găsi funcţia de transfer curent
Iout / iin, iin curent AC de la prejudecată poarta sursa de tensiune DC, Iout este de tensiune AC actuală a părtinire scurgere dc (sau exodul de AC Current).Frecvenţa în cazul în care acest raport nu trec printr-1 este ft
Desigur, această valoare se va schimba cu privire la biasing condiţie, şi anume Vgs-VT (împreună cu w / l şi Idrain), va avea valori diferite ft

 

[Puppet1]

I sînt privire pentru a crea o LNA în CMOS şi mi sa spus să părtinire tranzistorul de la vârf densitate ft curent.

Este adevărat că, prin modul în care - nu care dau NF minime?

multumesc pentru ajutor.

 

[khouly]

în ghid de proiectare amplificator de DS @ u a putea complot curbele FT şi apoi extarct paek

 

[v_naren]

Hmmm ... nu turnătorie caracterizează MOSFET pana la o frecvenţă, chiar aproape de fT oferite de tehnologia .... ca instrument de măsurare trebuie să fie cu siguranţă capabil sa masoare de mai multe zeci de uptil gigahertzi ... dreptul său de al naibii de costisitoare?

de exemplu: pentru un 0.18ľm CMOS, de turnătorie meu a caracterizat MOSFET numai uptil 20GHZ şi sunt sigur că fT este cu siguranta mult mai sus 20GHZ.

Deci, ce înseamnă acest lucru?

aceasta înseamnă că orice formă de analiză sau orice circuit "centrice" simulator de şmecherie, în cazul în care u te rog, nu va randamentul predicţii corectă, deoarece modelul este în sine valabilă doar până 20GHZ sau ceea ce vreodată!

Totuşi am făcut găti un circuit pe care am folosit pentru a parcelei lucru AC curent câştigat de pe urma 1GHz la 100GHz pentru a te distra

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_surprised.gif" alt="Surprised" border="0" />Deci, eu sunt Rezultate circuitul .... am alerga o analiză de curent alternativ de conducere împământat comună MOSFET-source cu o sursa ideala curent a cărui "AC" magnitudine a fost setat la 1, astfel încât un complot directă a Iout în dB va indica fT sperăm, iar rezultatul a fost dezastruoasă

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_surprised.gif" alt="Surprised" border="0" />

astfel cum a prezis .... aceasta nu a indicat corect fT cred că

Sunt sigur că fT de un tech 0.18ľm este cu siguranţă, nu mai sus 100GHz!

Mă întreb dacă cineva se va confirma, vă rugăm să cu amabilitate metoda mea de testare, vă rugăm să?
Ne pare rau, dar ai nevoie de login pentru a vizualiza această ataşament

 

[Puppet1]

aceasta tehnica (biasing pentru cele mai mici NF la vârf FT) înseamnă să luaţi de vârf de FT, care este mult mai mic decât FT în sine ..

 

[krashkealoha]

Citat:

luaţi de vârf de FT, care este mult mai mic decât FT în sine ..

 

[Puppet1]

în cele mai multe submicron procesele punct pentru ft vârf este aproape de punctul de NFMIN la 1st ordine.

Aceasta este ceea ce am văzut, cel puţin.