C
CQCQ
Guest
Hi! Lăţime de ce "poarta" este importantă în amplificator sau MOSFET?lăţime mare poarta sau lăţimea mică poarta, care este bun şi de ce?
THS!
-CQCQ
THS!
-CQCQ
D
deh_fuhrer
Guest
Mai mult este lăţimea poarta mai mult este transconductance a dispozitivului ....
K
khouly
Guest
ca poarta creşterea lăţime care înseamnă mai multe curente pot trece prin dispozitiv de ur, şi, de asemenea, transcondacutanc
Acest lucru înseamnă câştig mai mare
khouly
Acest lucru înseamnă câştig mai mare
khouly
R
roadbuster
Guest
Exodului actuală a unui n-MOSFET de tip în saturaţie este dată de:<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ I_{DS} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} \left[ 2(V_{gs} - V_{t})V_{ds} - V_{ds}^2 \right] ' title="3 $ I_ DS () \ hspace (4mm) = \ hspace (4mm) \ frac (1) (2) \ mu_ C_ 
(bou) \ frac (W) (L) \ left [2 (V_ (GS ) - V_ (t)) V_ (ds) - V_ (ds) ^ 2 \ right]" alt='3$ I_{DS} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} \left[ 2(V_{gs} - V_{t})V_{ds} - V_{ds}^2 \right] ' align=absmiddle>term refers to the gate width of the transistor.
Termenul W
se referă la lăţimea poarta tranzistorului.După cum puteţi vedea, creşterea lăţimea poarta va creşte exodul actual al tranzistorului.Beneficiile exodului de curent mai ridicat ar trebui să fie evident.
Transconductance de n-MOSFET de tip, în saturaţie este dată de:<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' title="3 $ g_ (m) \ hspace (4mm) = \ hspace (4mm) \ frac (dI_ (d)) (dV_ (GS)) | _ (V_ (DS) = const) \ hspace (4mm) = \ hspace ( 4mm) \ mu_ C_ (boul) \ frac (W) (L) (V_ (GS) - V_ (t))" alt='3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' align=absmiddle>Din nou, există o relaţie liniară între transconductance şi tranzistorul lăţime poarta.Un transconductance mai mare înseamnă că vă puteţi construi un amplificator, cu un câştig mai mare.
(bou) \ frac (W) (L) \ left [2 (V_ (GS ) - V_ (t)) V_ (ds) - V_ (ds) ^ 2 \ right]" alt='3$ I_{DS} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} \left[ 2(V_{gs} - V_{t})V_{ds} - V_{ds}^2 \right] ' align=absmiddle>term refers to the gate width of the transistor.Termenul W
se referă la lăţimea poarta tranzistorului.După cum puteţi vedea, creşterea lăţimea poarta va creşte exodul actual al tranzistorului.Beneficiile exodului de curent mai ridicat ar trebui să fie evident.
Transconductance de n-MOSFET de tip, în saturaţie este dată de:<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' title="3 $ g_ (m) \ hspace (4mm) = \ hspace (4mm) \ frac (dI_ (d)) (dV_ (GS)) | _ (V_ (DS) = const) \ hspace (4mm) = \ hspace ( 4mm) \ mu_
C_ (boul) \ frac (W) (L) (V_ (GS) - V_ (t))" alt='3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' align=absmiddle>Din nou, există o relaţie liniară între transconductance şi tranzistorul lăţime poarta.Un transconductance mai mare înseamnă că vă puteţi construi un amplificator, cu un câştig mai mare.